| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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EMD30T2R |
SOT-563，SOT-666 | Rohm Semiconductor | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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EMD30T2R参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 说明：TRANS NPN/PNP 30V 200MA EMT6 包装数量：8000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA，200mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V，30V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k，1k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 5mA，5V / 140 @ 100mA，2V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大）：500nA 频率 - 转换：250MHz，260MHz 功率 - 最大：150mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeEGM22DTMS-S189 Card EdgeASM08DRYN-S13 铝电容器B43255A2687M 接口 - 驱动器，SN65LVDS389DBTRG4 Card EdgeAMM43DSES FET - 单NTLGF3402PT1G 压力MLH050BSB14A 圆形ACT96WH21PB 接线座 - 接头，1555710000 通孔电阻器MBB02070C5763FRP00 |
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