| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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EMD30T2R |
SOT-563，SOT-666 | Rohm Semiconductor | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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EMD30T2R参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 说明：TRANS NPN/PNP 30V 200MA EMT6 包装数量：8000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA，200mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V，30V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k，1k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 5mA，5V / 140 @ 100mA，2V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 2.5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大）：500nA 频率 - 转换：250MHz，260MHz 功率 - 最大：150mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeFMC36DREN-S13 芯片电阻 - 表面PFC10-1KF1 通孔电阻器CMF5514K200BEEA70 嵌入式 - 微控制TS87C54X2-MCE 逻辑 - 缓冲器，SN74ABT125PWR 端子 - 电磁线63807-1 接口 - 专用MC33560DWR2G 圆形CA3106F14SA7PB01A176 PMIC - 稳压UCC2813PW-1 快动，限位开关LS3A3K-7AA |
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