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EMD30T2R |
SOT-563,SOT-666 | Rohm Semiconductor | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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EMD30T2R参数 产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 说明:TRANS NPN/PNP 30V 200MA EMT6 包装数量:8000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA,200mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V,30V 电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k,1k 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 5mA,5V / 140 @ 100mA,2V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大):500nA 频率 - 转换:250MHz,260MHz 功率 - 最大:150mW 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: Card EdgeEGM22DTMS-S189 Card EdgeASM08DRYN-S13 铝电容器B43255A2687M 接口 - 驱动器,SN65LVDS389DBTRG4 Card EdgeAMM43DSES FET - 单NTLGF3402PT1G 压力MLH050BSB14A 圆形ACT96WH21PB 接线座 - 接头,1555710000 通孔电阻器MBB02070C5763FRP00 |