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EMD30T2R

SOT-563,SOT-666 Rohm Semiconductor 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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EMD30T2R参数
产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
说明:TRANS NPN/PNP 30V 200MA EMT6
包装数量:8000
包装形式:带卷 (TR)
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晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA,200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V,30V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k,1k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 5mA,5V / 140 @ 100mA,2V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:250MHz,260MHz
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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